Publication

Band Bending at Semiconductor Interfaces and Its Effect on Photoemission Line-Shapes

Résumé

We show that, contrary to intuition and under normal experimental conditions, the band bending at a semiconductor surface or interface does not strongly increase the linewidth of photoemission core-level peaks. The increase is smaller than the magnitude of the band bending, and in most cases negligible. Non-negligible increases are found only when the linewidth is smaller than and, simultaneously, the photoelectron escape depth larger than in a typical experiment.

À propos de ce résultat
Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.