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NbTiN thin films deposited by hybrid HiPIMS/DC magnetron co-sputtering

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Rosendo Sanjines, Alireza Karimi, Ayat Karimi, Samy Adjam, Daniela Dumitriu La Grange
2016

Résumé

Nb1 - xTixNy thin films (with 0

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/entities/publication/a150fd34-0612-4914-ae12-8bd6db12df37

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Concepts associés (32)

Sputter deposition

Sputter deposition is a physical vapor deposition (PVD) method of thin film deposition by the phenomenon of sputtering. This involves ejecting material from a "target" that is a source onto a "substrate" such as a silicon wafer. Resputtering is re-emission of the deposited material during the deposition process by ion or atom bombardment. Sputtered atoms ejected from the target have a wide energy distribution, typically up to tens of eV (100,000 K).

Système cristallin cubique

En cristallographie, le système cristallin cubique (ou isométrique) est un système cristallin qui contient les cristaux dont la maille élémentaire est cubique, c'est-à-dire possédant quatre axes ternaires de symétrie. Il existe trois types de telles structures : cubique simple, cubique centrée et cubique à faces centrées. Classe cristalline Le tableau ci-dessous fournit les numéros de groupe d'espace des tables internationales de cristallographie du système cristallin cubique, les noms des classes cristallines, les notations Schoenflies, internationales, et des groupes ponctuels, des exemples, le type et les groupes d'espace.

Structure cristalline

La structure cristalline (ou structure d'un cristal) donne l'arrangement des atomes dans un cristal. Ces atomes se répètent périodiquement dans l'espace sous l'action des opérations de symétrie du groupe d'espace et forment ainsi la structure cristalline. Cette structure est un concept fondamental pour de nombreux domaines de la science et de la technologie. Elle est complètement décrite par les paramètres de maille du cristal, son réseau de Bravais, son groupe d'espace et la position des atomes dans l'unité asymétrique la maille.

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Colloidal Atomic Layer Deposition on Nanocrystals Using Ligand-Modified Precursors

Raffaella Buonsanti, Anna Loiudice, Krishna Kumar, Petru Pasquale Albertini, Coline Marie Agathe Boulanger, Jari Leemans, Ona Segura Lecina, Mark Adrian Newton, Philippe Benjamin Green

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Atomic layer deposition (ALD) is one of the premier methods to synthesize ultra-thin materials on complex surfaces. The technique allows for precise control of the thickness down to single atomic layers, while at the same time providing uniform coverage ev ...

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