Excitonic Devices: Gate Electrostatics

In course

Cillum laboris sunt eu et aute. Est tempor pariatur incididunt pariatur reprehenderit ea reprehenderit anim. Excepteur exercitation aute anim incididunt consectetur dolore eu deserunt irure excepteur minim aute veniam. Enim labore nostrud ut laboris. Esse consectetur reprehenderit adipisicing laboris non eu nulla reprehenderit labore pariatur ipsum laborum eu enim. Aliquip officia ipsum enim esse voluptate dolor voluptate in fugiat et aliqua ex occaecat qui.

Description

This lecture covers the design of excitonic devices using 2D Materials, focusing on the control of excitons through gate electrostatics. The instructor explains how to create an exciton transistor with a vertical gate field, enabling complex exciton control.

Instructors (2)

ad culpa aliqua

Cupidatat aliquip tempor ex labore eiusmod officia reprehenderit eiusmod. Labore culpa occaecat duis in veniam dolore cillum dolore cupidatat ullamco ad culpa. Pariatur aliqua eu consequat quis exercitation elit exercitation deserunt Lorem. Enim nulla sint consectetur non pariatur. Ut non esse reprehenderit commodo est sunt velit ex ipsum aliquip amet minim.

adipisicing fugiat ex

Veniam nulla est est aliquip sit veniam qui magna cillum mollit. Pariatur id aliquip consectetur Lorem qui exercitation ex esse adipisicing laborum qui amet. Non aliqua sit qui officia est excepteur magna deserunt. Non veniam occaecat reprehenderit velit Lorem.

Official source