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Discute du dopage dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur la concentration des porteurs, l'énergie d'ionisation et les effets de la température sur les propriétés électriques.
Fournit une vue d'ensemble de la physique des jonctions métal-semiconducteur, y compris la fonction de travail, la barrière Schottky, les contacts Ohmic et les hétérojonctions.
Couvre le comportement des semi-conducteurs, y compris les propriétés intrinsèques et extrinsèques, le dopage, les porteurs de charge, le flexion de la bande et la formation de jonction p-n.
Couvre l'influence du dopage sur les concentrations de porteurs dans les semi-conducteurs extrinsèques et les changements qui en résultent dans le niveau d'énergie de Fermi.
