Dopage dans les semi-conducteurs : concentration des porteurs et énergie d'ionisation

Cette séance de cours couvre le sujet du dopage dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur la façon dont les impuretés affectent la concentration des porteurs et l'énergie d'ionisation. L'instructeur commence par récapituler les discussions précédentes sur les semi-conducteurs intrinsèques et la relation entre la température et l'écart de bande. La séance de cours passe ensuite aux spécificités du dopage, expliquant comment l'ajout d'éléments comme le phosphore ou le bore modifie les propriétés électriques du silicium. L'instructeur détaille les mécanismes du dopage donneur et accepteur, en soulignant l'importance de l'énergie d'ionisation et comment elle varie avec la température. Le concept de dopants amphotères est introduit, illustrant comment certains éléments peuvent agir à la fois comme donneurs et accepteurs en fonction de leur concentration. La séance de cours traite également de la distribution statistique des porteurs dans les semi-conducteurs dopés et des conditions dans lesquelles ils fonctionnent, y compris les effets de la température sur la densité des porteurs. Enfin, l'instructeur souligne l'importance de comprendre ces principes pour des applications pratiques dans la technologie des semi-conducteurs.