Couvre les modes de fonctionnement d'une jonction MOS sur un substrat de type n, en se concentrant sur les effets de potentiel de surface et de flexion de bande.
Fournit une compréhension unifiée des mécanismes de transport de charge dans les semi-conducteurs organiques en utilisant la relation généralisée d'Einstein.
Explore les détecteurs de semi-conducteurs pour la détection des radiations, couvrant l'histoire, les principes, les porteurs de charge, le dopage, les jonctions p-n et la chaîne de détection.
Explore la modélisation de la résistance au contact dans les dispositifs semi-conducteurs, en mettant l'accent sur le calcul de la tension de la porte et l'analyse des défauts.
Se penche sur l'utilisation du germanium dans le calcul quantique, en mettant l'accent sur les systèmes quantiques à base de trous et les progrès des matériaux.
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