Dispositifs semi-conducteurs II: Modélisation de la résistance au contact

Cette séance de cours couvre la modélisation de la résistance au contact dans les dispositifs semi-conducteurs, y compris le calcul de la tension d'entrée et de la charge de canal à partir de paramètres physiques. Il traite de la méthode de la ligne de transmission, des lois de Kirchoff et du concept de la longueur de transfert. La séance de cours se penche également sur les méthodes pratiques de mesure de la résistance au contact dans les semi-conducteurs 2D et sur l'importance des défauts dans la structure de la bande. Différents modèles mathématiques et l'interprétation des données expérimentales sont présentés.