Séance de cours
Dispositifs semi-conducteurs II: Modélisation de la résistance au contact
Description
Cette séance de cours couvre la modélisation de la résistance au contact dans les dispositifs semi-conducteurs, y compris le calcul de la tension d'entrée et de la charge de canal à partir de paramètres physiques. Il traite de la méthode de la ligne de transmission, des lois de Kirchoff et du concept de la longueur de transfert. La séance de cours se penche également sur les méthodes pratiques de mesure de la résistance au contact dans les semi-conducteurs 2D et sur l'importance des défauts dans la structure de la bande. Différents modèles mathématiques et l'interprétation des données expérimentales sont présentés.
Source officielle
À propos de ce résultat
Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.