Génération X

Résumé

La génération X désigne, selon la classification de William Strauss et Neil Howe, le groupe des Occidentaux nés entre 1965 et 1976. D'autres spécialistes la définissent par la période 1961-1981 ou 1962-1971 (compromis entre les définitions d'Olazabal, 2009 ; Hamel, 2003 et 2009 ; Allain, 2008 ; Foot, 1999 et Coupland, 1991). Cette génération est intercalée entre celle des Babyboomeurs et la génération Y. L'expression « génération X » a d’abord été utilisée en démographie, puis en sociologie et en marketing. Elle est surtout largement utilisée dans la culture populaire. Origines La génération X était, à l’origine, connue sous le nom de génération , en raison du faible taux de natalité par comparaison à la période du baby boom. Ce n'est que plus tard que le terme génération X a été adopté. Il a d'abord été utilisé au Royaume-Uni en 1965 par Jane Deverson et Charles Hamblett. L’éditeur de la revue Woman's Own avait demandé à Deverson de réaliser une série d

Source officielle

https://fr.wikipedia.org/wiki/G%C3%A9n%C3%A9ration_X

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Publications associées (4)

Publications associées

Chargement

Personnes associées

Chargement

Unités associées

Chargement

Concepts associés (5)

vignette|redresse|Rupture entre les générations (Oran, Algérie, 2015). La génération est un concept en sciences sociales utilisé en démographie pour désigner une sous-population dont les membres, aya

Le 'Parti républicain' (, également surnommé Grand Old Party (en français : « Grand Vieux Parti ») et abrégé en GOP, est l'un des deux grands partis politiques américains contemporains. Il est fondé

vignette|Jeunes manifestants en faveur d'une loi sur le climat, Paris, 9 mai 2021 La génération Z est la génération des personnes nées entre et (bien que les délimitations varient

Afficher plus

Concepts associés

Chargement

Cours associés (6)

Cours associés

Chargement

Séances de cours associées (2)

Séances de cours associées

Chargement

The spectral bias of polynomial neural networks

Volkan Cevher, Moulik Choraria, Grigorios Chrysos, Leello Tadesse Dadi

Polynomial neural networks (PNNs) have been recently shown to be particularly effective at image generation and face recognition, where high-frequency information is critical. Previous studies have revealed that neural networks demonstrate a spectral bias towards low-frequency functions, which yields faster learning of low-frequency components during training. Inspired by such studies, we conduct a spectral analysis of the Neural Tangent Kernel (NTK) of PNNs. We find that the II-Net family, i.e., a recently proposed parametrization of PNNs, speeds up the learning of the higher frequencies. We verify the theoretical bias through extensive experiments. We expect our analysis to provide novel insights into designing architectures and learning frameworks by incorporating multiplicative interactions via polynomials.

2022

Chargement

A new approach for trajectory generation in 5-axis machining

Matthias Müller

EPFL2002

Chargement

Characterization of Amorphous Silicon Based Microchannel Plates with High Aspect Ratio

Christophe Ballif, Janina Christine Isabelle Löffler

Microchannel plates (MCPs) fabricated out of hydrogenated amorphous silicon offer a promising alternative to conventional lead glass ones. Progress in the fabrication process has allowed for detectors with higher aspect ratios, which significantly increases the multiplication factor with respect to previous generations. The current work focuses on the characterization procedure where multiplication factor and general detector performance were examined. For this, a specifically designed photoelectron source was used that allows measuring the gain value in the quasi steady-state regime. The current generation of amorphous silicon MCPs showed for the first time gain values in excess of 100. Using an electron beam induced current technique the electrical properties of the sample detectors were analyzed and localized charging effects were be observed. The effect of the tilt angle between the electron source and the detector surface was also be investigated.

IEEE2019

Chargement