Arnaud MagrezEducation
PhD., Materials Science, summa cum laude, Université de Nantes, 2002
M.S., Chemistry, Université des Sciences et Technologies de Lille, 1999
Academic positions
Head of the Crystal Growth Facility, EPFL, 2012-present
Research Associate, Laboratoire de Physique de la Matière Complexe, EPFL, 2003-2012
Research Fellow, Peter Grunberg Institute, FZ-Juelich, 2002-2003
Administrative positions at EPFL
Scientific staff member, EPFL Assembly, 2015-present
Scientific staff member, School Council SB, 2014-present
Member of the IPHYS office 2016-present
Member of the ICMP office 2012-2015
Member of the safety committee of ICMP 2010-2015
Giorgio MargaritondoDe nationalité américaine et suisse, Giorgio Margaritondo est né à Rome (Italie) en 1946. Il a reçu la Laurea cum laude en physique de l'Université de Rome en 1969. De 1969 à 1978, il a travaillé pour le Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), à Rome, à Frascati et, pendant la période 1975-1977, chez Bell Laboratories aux Etats-Unis. De 1978 à 1990, il est professeur de physique à l'Université du Wisconsin, à Madison (Etats-Unis); en 1984, il est nommé vice-directeur au Centre de rayonnement synchrotron de la même université. En 1990, il est engagé à l'EPFL comme professeur ordinaire et dirige l'Institut de physique appliquée au Département de physique. Il a été également membre honoraire du corps professoral de l'Université Vanderbilt à Nashville. En 2001 il a été nommé doyen de la Faculté des sciences de base de l'EPFL; en 2004, il a été nommé Vice-président pour les affaires académiques.; en 2010 et jusqu'à sa retraite de l'EPFL en 2016 il est devenu Doyen de la formation continue. A côté de ses cours de physique générale, son activité de recherche porte sur la physique des semiconducteurs et des supraconducteurs (états électroniques, surfaces, interfaces) et des systèmes biologiques; ses principales méthodes expérimentales sont la spectroscopie et la spectromicroscopie électroniques, l'imagerie aux rayons x et la microscopie SNOM, y compris les expériences avec le rayonnement synchrotron et le laser à électrons libres. Auteur d'environ 700 articles scientifiques et de 9 livres, il a aussi été responsable de 1995 à 1998 des programmes scientifiques du Synchrotron ELETTRA à Trieste. Depuis 1997, il a été le coordinateur de la table ronde de la Commission européenne pour le rayonnement synchrotron, et président du conseil de la "Integrated Initiative" de la Commission européenne pour les synchrotrons et les lasers à électrons libres (IA-SFS, ensuite ELISA), le plus grand réseau au monde de laboratoires dans ce domaine. En 2011-2015, il a été Editor-in-Chief du Journal of Physics D (Applied Physics). A présent, il est vice-président du conseil de l'Università della Svizzera Italiana (USI) et président du Scientific and Technological Committee de l'Istituto Italiano di Tecnologia (IIT). Il est "Fellow" de l'American Physical Society et de l'American Vacuum Society; il est également "Fellow and Chartered Physicist" de l'Institute of Physics.
Jean-Philippe AnsermetJean-Philippe Ansermet was born March 1, 1957 in Lausanne (legal origin Vaumarcus, NE). He obtained a diploma as physics engineer of EPFL in 1980. He went on to get a PhD from the University of Illinois at Urbana-Champaign where, from 1985 to 1987, he persued as post-doc with Prof. Slichter his research on catalysis by solid state NMR studies of molecules bound to the surface of catalysts. From 1987 to 1992 he worked at the materials research center of Ciba-Geigy, on polymers for microelectronics, composites, dielectrics and organic charge transfer complexes. In March 1992, as professor of experimental physics, he developed a laboratory on the theme of nanostructured materials and turned full professor in 1995. Since 1992, he teaches classical mechanics, first to future engineering students, since 2004 to physics majors. Since 2000, he teaches thermodynamics also, to the same group of students. He offers a graduate course in spintronics, and another on spin dynamics. His research activities concern the fabrication and properties of magnetic nanostructures produced by electrodeposition. His involvement since the early days of spintronics have allowed him to gain recognition for his work on giant magnetoresistance (CPP-GMR), magnetic relaxation of single nanostructures, and was among the leading groups demonstrating magnetization reversal by spin-polarized currents. Furthermore, his group uses nuclear magnetic resonance , on the one hand as means of investigation of surfaces and electrodes, on the other hand, as a local probe of the electronic properties of complex ferromagnetic oxides.
Benoît Marie Joseph DeveaudBenoît Deveaud est maintenant Directeur Adjoint à l'Enseignement et la Recherche, Ecole Polytechnique Palaiseau.
Benoît Deveaud est né en France en 1952. Il est admis en 1971 à l'Ecole Polytechnique de Paris et s'y spécialise en physique. En 1974, il entre au Centre National d'Etudes des Télécommunications. Il mène à la fois les études sur les centres profonds dans les semi-conducteurs III-V, et poursuit ses études de physique en préparant un diplôme d'études approfondies en physique des solides. En 1984, il soutient sa thèse de doctorat à l'Université de Grenoble.
Entre-temps, son équipe s'intéresse aux microstructures et lance une recherche sur les propriétés structurales et optiques des super réseaux à base d'arséniure de gallium. Ces études mettent en évidence par exemple le transport vertical dans les superréseaux ou la quantification des énergies de transition dans un puits quantique. En 1986 il rejoint l'équipe de Daniel Chemla aux Bell Laboratories (Holmdel USA) et participe à la mise au point de la première expérience de luminescence ayant une résolution temporelle meilleure qu'une picoseconde. Il étudie les processus de relaxation ultra-rapide dans les puits quantiques.
Rentré en France, au CNET, en 1988, il dirige un laboratoire d'études ultra-rapides, portant sur les propriétés optiques et électroniques des matériaux semi-conducteurs.
Nommé professeur en physique à l'EPFL en octobre 1993, son équipe de recherche étudie la physique des processus ultrarapides dans les micro- et nanostructures et les composants qui les utilisent.
Il a dirigé l'Institut de Micro et Optoélectronique depuis 1998 puis l'Institut de Photonique et électronique quantique de 2003 à 2007. Son équipe participe activement au Pôle national de Recherche "Quantum Photonics" dont il a été le Directeur Adjoint de 2001 à 2005 puis le Directeur de 2005 à 2013.
Il a été Doyen pour la recherche à l'EPFL de 2008 à 2014.
De 2014 à 2017, il a dirigé l'Institut de Physique.
Il a été editeur divisionnaire de Physical Review Letters de 2001 à 2007.
Romuald HoudréCurriculum Vitae
CV
2011
Nommé Professeur Titulaire
2006
Nommé Maître d'Enseignement et de Recherche
2004
Rejoint le Laboratoire d'Optoélectronique Quantique LOEQ dirigé par le professeur B. Deveaud-Plédran
2001-2004
Adjoint scientifique à l'Institut de Photonique et d'Electronique Quantique IPEQ (ancien Institut de Micro et Optoélectronique), Laboratoire du professeur Ilegems.
1998
Habilitation, université Pierre et Marie Curie, Paris 6.
1997
Chercheur invité à NTT, département d'Optoélectronique, (Atsugi, Japon) de mars à août 1997
1988-2000
Collaborateur scientifique à l'Institut de Micro et Optoélectronique IMO à l'école Polytechnique Fédérale de Lausanne, groupe du professeur Ilegems. Responsable de l'épitaxie par jets moléculaires (1988-1996), responsable de l'activité microcavités optiques (1996-2000).
1987-1988
Recherches au Laboratoire de Physique de la Matière Condensée à l'école Polytechnique (France).
1986-1987
Postdoc à l'université d'Illinois à Urbana-Champaign (U.S.A.) chez le professeur H.Morkoç dans le groupe d'épitaxie par jets moléculaires.
1983-1985
Thèse de doctorat sur la photoémission de puits quantiques et superréseaux en état d'affinité électronique négative au Laboratoire de Physique de la Matière Condensée, école Polytechnique (France) sous la direction de G.Lampel et C.Hermann.
Marc IlegemsMarc Ilegems obtained degrees in Electrical Engineering from the University of Brussels in 1965 and a doctorate in Electrical Engineering from Stanford University in 1970. From 1969 to 1977 he was a Member of Technical Staff at the Solid State Electronics Research Laboratory, Bell Laboratories, Murray Hill. He joined the Ecole Polytechnique Federale (Swiss Federal Institute of Technology) in Lausanne in October 1977 as Professor and Director of the new Interdepartmental Institute of Microelectronics (1977-1983) and subsequently as Director of the Institute of Micro- and Optoelectronics (1983-2000) and of the Semiconductor Device Physics Laboratory (1983-2005).
Prof. Ilegems served as Dean of the Department of Physics from 1998 to 2000, and as Director of the Swiss National Centre of Competence in Research (NCCR) in Quantum Photonics (2001-2005), the Swiss Priority Program OPTICS (1993-1999) and the Swiss National Program on Micro- and Optoelectronics (1983-90). He is a member of the Scientific Council and has acted as expert and consultant for several national and European research organizations.
His current activities include technical and patent consulting for private organizations, contributions to the definition and management of research programs in the framework of bilateral collaborations between Poland, Hungary and Switzerland (2011-2017), and participation as member of various ICT and FET review panels within the Horizon 2020 programme.
Prof. Ilegems received an honorary doctorate from the University of Toulouse (1998) and the Heinrich Welker Award from the Compound Semiconductor Symposium (2006) for his contributions to III-V semiconductor materials and device research.
The research activities of the Semiconductor Device Physics Laboratory centred on the physics and technology of semiconductor devices. The main subjects of interest included quantum photonics (semiconductor microcavities, light emitting diodes, lasers and detectors), wide bandgap semiconductor nitrides, physics of nano and low-dimensional structures, high electron mobility transistors, crystal growth and materials technology. The research programs were carried out in close collaboration with numerous academic and industrial groups in Switzerland and abroad, in particular within the framework of programs of the European Community.
Earlier research topics pursued at Bell Laboratories and at EPFL include Molecular Beam Epitaxy and doping of GaAs and AlGaAs thin films with applications to heterostructure lasers, detectors, and Bragg mirrors, hydride vapor phase epitaxy and physical characterization of GaN on sapphire, liquid-solid phase diagrams of ternary III-V compound systems, and silicon-based non-volatile memory cells.
Prof. Ilegems is the author or co-author of over 250 scientific publications (citation index h = 48) and 7 book chapters, and has supervised over 30 doctoral students in Lausanne. His academic contacts include stays as invited professor at Stanford University (1994) and at the Polytechnic University of Madrid (2007).
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