Mémoire à ligne de délaiLa mémoire à ligne de délai (en anglais delay line memory) était un type de mémoire vive utilisé sur certains des premiers ordinateurs numériques, comme l'EDSAC et l'UNIVAC I. Le concept de base de la ligne de délai est issu des recherches sur le radar, à l'occasion de la Seconde Guerre mondiale. Celles-ci visaient à réduire les perturbations amenées par la réflexion des ondes avec le sol et les autres objets fixes. Les radars de l'époque utilisaient des pulsations répétées d'énergie radio, les réflexions étaient reçues et amplifiées pour être affichées.
Rafraîchissement de la mémoireLe rafraîchissement de la mémoire est un processus qui consiste à lire périodiquement les informations d'une mémoire d'ordinateur et les réécrire immédiatement sans modifications, dans le but de prévenir la perte de ces informations. Le rafraîchissement de la mémoire est requis dans les mémoires de type DRAM (dynamic random access memory), le type de mémoire vive le plus largement utilisé, et le rafraîchissement est une des caractéristiques principales de ce type de mémoire.
Floating-gate MOSFETThe floating-gate MOSFET (FGMOS), also known as a floating-gate MOS transistor or floating-gate transistor, is a type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) where the gate is electrically isolated, creating a floating node in direct current, and a number of secondary gates or inputs are deposited above the floating gate (FG) and are electrically isolated from it. These inputs are only capacitively connected to the FG.
Self-aligned gateUne self-aligned gate (qu'on pourrait traduire de l'anglais par « grille auto-alignée ») est un procédé de fabrication de transistor MOSFET dans lequel la grille, très dopée, est utilisée en tant que masque pour le dopage de la source et du drain qui l'entourent. Grâce à cette technique, la grille chevauche toujours les bords de la source et du drain, ce qui est indispensable au bon fonctionnement du transistor MOSFET. La technique de self-aligned gate est née en 1966, et fut brevetée aux États-Unis en . Fa
Mémoire tamponthumb|Un buffer Intel sur une barrette de mémoire vive. En informatique, une mémoire tampon, couramment désignée par le terme anglais buffer, est une zone de mémoire vive ou de disque utilisée pour entreposer temporairement des données, notamment entre deux processus ou matériels ne travaillant pas au même rythme.
