Couvre l'efficacité quantique et la détectivité dans les photodiodes, en se concentrant sur leur relation avec la longueur d'onde et les implications pratiques dans la détection optique.
Couvre les profils de dopage dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur les barres de silicium dopées au bore et au phosphore pour des applications telles que les photodiodes à avalanche.
