Profils de dopage dans les composants semi-conducteurs

Cette séance de cours traite des profils de dopage dans les composants semi-conducteurs, en se concentrant sur une barre de silicium dopée au bore et au phosphore. L'instructeur présente un exercice spécifique impliquant des concentrations de dopage, où N1, N2 et N3 représentent différents niveaux de dopage. La configuration est typique dans les processus CMOS standard, avec des régions P + et N-WELL. La séance de cours met en évidence la création d'une photodiode d'avalanche conçue pour détecter des photons uniques, expliquant l'importance des niveaux de dopage dans les performances de l'appareil. Les mesures des concentrations de dopage à différentes profondeurs sont analysées, révélant que le dopage n'est pas constant et varie logarithmiquement. L'instructeur explique comment calculer les concentrations de porteurs majoritaires et minoritaires en fonction des niveaux de dopage, en mettant l'accent sur le rôle du bore en tant qu'accepteur et du phosphore en tant que donneur de silicium. Les calculs des concentrations de porteurs dans le substrat et les régions dopées sont détaillés, ce qui donne un aperçu du comportement des matériaux semi-conducteurs dans différentes conditions de dopage.