Chimie organométalliqueLa chimie organométallique est l'étude des composés chimiques contenant une liaison covalente entre un métal et un atome de carbone situé dans un groupe organique. Elle combine des aspects de la chimie organique et de la chimie inorganique. 1827 Le sel de Zeise, nommé en l'honneur de William Christopher Zeise, est le premier complexe oléfines/platine. 1863 Charles Friedel et James Crafts préparent un organochlorosilane. 1890 Ludwig Mond découvre le carbonyle de nickel. 1899 Introduction de la réaction de Grignard.
WaferEn électronique, un wafer (littéralement en français « tranche ») est une tranche ou une plaque très fine de matériau semi-conducteur monocristallin utilisée pour fabriquer des composants de microélectronique. En français, les termes de « tranche », « plaque » (voire, « plaquette ») ou « galette » sont également utilisés. Cependant, l'usage de l'anglais est très répandu dans les unités de fabrication de semi-conducteurs et dans le langage des ingénieurs.
Cellule photovoltaïqueUne cellule photovoltaïque, ou cellule solaire, est un composant électronique qui, exposé à la lumière, produit de l’électricité grâce à l’effet photovoltaïque. La puissance électrique obtenue est proportionnelle à la puissance lumineuse incidente et elle dépend du rendement de la cellule. Celle-ci délivre une tension continue et un courant la traverse dès qu'elle est connectée à une charge électrique (en général un onduleur, parfois une simple batterie électrique).
Groupe 12 du tableau périodiqueLe groupe 12 du tableau périodique, autrefois appelé groupe B dans l'ancien système IUPAC et dans le système CAS, contient les éléments chimiques de la , ou groupe, du tableau périodique des éléments : {| class="wikitable" style="text-align:left" |- ! Période ! colspan="2" | Élément chimique ! Z ! Famille d'éléments ! Configuration électronique |- | style="text-align:center" | 4 ! Zn | Zinc | style="text-align:right" | 30 | Métal pauvre | |- | style="text-align:center" | 5 ! Cd | Cadmium | style="text-align:
Couche minceUne couche mince () est un revêtement dont l’épaisseur peut varier de quelques couches atomiques à une dizaine de micromètres. Ces revêtements modifient les propriétés du substrat sur lesquels ils sont déposés. Ils sont principalement utilisés : dans la fabrication de composants électroniques telles des cellules photovoltaïques en raison de leurs propriétés isolantes ou conductrices ; pour la protection d'objets afin d'améliorer les propriétés mécaniques, de résistance à l’usure, à la corrosion ou en servant de barrière thermique.
Phosphure d'indiumLe phosphure d'indium est un composé inorganique de formule InP. C'est un semi-conducteur binaire de type III-V, constitué d'indium et de phosphore utilisé en micro-électronique. Le phosphure d'indium possède comme la plupart des semi-conducteurs III-V (GaAs, InAs, etc.) une structure de type « blende », c'est-à-dire deux mailles cubiques faces centrées (cfc) de chacun des deux composants imbriquées et décalées d'un vecteur (1/4;1/4;1/4), ou d'un autre point de vue, une maille cfc de l'un des constituants dont quatre des huit sites tétraédriques sont occupés par l'autre constituant.
DiéthylzincLe diéthylzinc, parfois abrégé en DEZn en anglais scientifique, est un corps organozincique hautement pyrophorique, caractérisé par une molécule constituée d'un centre de zinc divalent lié à deux groupes éthyles étalés en deux "aile mobiles" à température ambiante, de formule . Il se présente sous la forme d'un liquide mobile et incolore, à l'odeur désagréable, bouillant à et s'enflammant à l'air spontanément. C'est un important réactif, un précieux agent de synthèse ou d'éthylation, en chimie organique.
Arséniure d'aluminium-galliumL'arséniure d'aluminium-gallium (AlxGa1-xAs) est un semi-conducteur utilisé dans la fabrication de diodes électroluminescentes (DEL) émettant dans le rouge ou l'infrarouge. Le x dans la formule ci-dessus est un nombre compris entre 0 et 1 - ceci indique un alliage arbitraire entre l'arséniure de gallium (GaAs) et l'arséniure d'aluminium (AlAs). Arséniure de gallium Aluminium Catégorie:Composé du gallium Catégorie:Composé de l'aluminium aluminium-gallium Catégorie:Matériau semi-conducteur Catégorie:Composé
Trihydrure d'arsenicLe trihydrure d'arsenic, anciennement connu sous le nom d'arsine et à présent désigné par l'UICPA sous le nom d'arsane, est un composé inorganique de l'arsenic et de l'hydrogène de formule AsH3. Dans les conditions normales, c'est un gaz incolore et plus lourd que l'air, particulièrement toxique. Il a été utilisé en association avec d'autres gaz dans les obus chimiques de la Première Guerre mondiale. Inodore à l'état naissant, il prend par oxydation au contact de l'air, une odeur aillacée détectable à partir de .
Arséniure d'indiumL'arséniure d'indium, InAs, est un semi-conducteur composite binaire de type III-V, composé d'arsenic et d'indium. Il a l'apparence d'un cristal cubique, gris, avec un point de fusion de . L'arséniure d'indium est assez similaire à l'arséniure de gallium. Ses propriétés en sont assez proches, et comme celui-ci, il possède un gap direct. Il possède l'une des plus importantes mobilités d'électron parmi les semi-conducteurs, et son gap est l'un des plus petits. Il est toxique et dangereux pour l'environnement.
