Résumé
Un transistor de type JFET (Junction Field Effect Transistor) est un transistor à effet de champ dont la grille est directement en contact avec le canal. On distingue les JFET avec un canal de type N, et ceux avec un canal de type P. Le JFET est né le lorsque William Shockley dévoile que son équipe du laboratoire Bell a mis au point un tout nouveau transistor à jonction. De même que l'on distingue deux types de transistors bipolaires, les NPN et les PNP, l'on distingue aussi deux types de transistors FET à jonction (JFET) : les JFET canal N, Le JFET canal N est le plus utilisé (comme d'ailleurs le transistor bipolaire NPN), son symbole est indiqué ci-dessous dans les schémas de mise en œuvre, les JFET canal P, Le symbole du JFET canal P est identique, à part la flèche qui change de sens. Comme pour les transistors bipolaires, on a le choix entre un grand nombre de modèles, selon la puissance mise en œuvre et la bande de fréquences à amplifier. La principale différence entre les transistors bipolaires et les JFET, est que les transistors bipolaires sont commandés en courant (il faut fournir au transistor un certain courant de base pour qu'il conduise), alors que le JFET est commandé en tension (le courant drain dépend de la tension ). Le transistor est formé par une couche de semi-conducteur peu dopée (canal) placée entre deux couches de semi-conducteur de dopage opposé et reliées entre elles pour former l'électrode que l'on nomme la grille (cf. base d'un transistor bipolaire). Les extrémités du canal forment deux autres électrodes nommées le drain (cf. collecteur) et la source (cf. émetteur). Pour un JFET à canal de type N, la grille est de type P. En fonctionnement normal la tension entre le drain et la source est positive () et celle entre la grille et la source (jonction PN) est négative (). L'augmentation de cette tension inverse fait croître les zones de déplétion (non conductrices) autour du canal jusqu'au pincement de celui-ci. La conduction du canal est donc modulée par la tension .
À propos de ce résultat
Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.
Cours associés (28)
EE-320: Analog IC design
Introduction to the design of analog CMOS integrated circuits at the transistor level. Understanding and design of basic structures.
MICRO-312: Physics of semiconductors devices
Les étudiants savent expliquer la physique des composants semiconducteurs, tels que diodes, transistors et composants MOS. Ils les utilisent dans des circuits électroniques fondamentaux tels qu'invers
NX-422: Neural interfaces
Neural interfaces (NI) are bioelectronic systems that interface the nervous system to digital technologies. This course presents their main building blocks (transducers, instrumentation & communicatio
Afficher plus
Séances de cours associées (65)
Analyse de la convergence: système RK explicite
Explore l'analyse de convergence du système Explicite Runge-Kutta pour des solutions numériques précises.
Amplificateurs neuraux: Diagramme des blocs de circuits et exigences de conception
Discute du diagramme de bloc de circuit et des exigences de conception pour les amplificateurs neuronaux.
Opération de transistor MOS: Triode vs Saturation
Explique le fonctionnement du transistor MOS dans les régions de triode et de saturation, en mettant l'accent sur la transconductivité et la disposition.
Afficher plus
Publications associées (229)

A Dual-Channel Gate Driver Design with Active Voltage Balancing Circuit for Series Connection of SiC MOSFETs

Drazen Dujic, Renjie Wang

Dual-channel gate driver is commonly utilized in the industry for accommodating the widespread use of half-bridge power modules. As wide-bandgap devices become increasingly prevalent due to their superior switching characteristics compared with conventiona ...
2024
Afficher plus
Concepts associés (18)
Transistor à effet de champ
Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en 1925 par Julius E. Lilienfeld.
Amplificateur opérationnel
thumb|300px|Différents modèles d'amplificateurs opérationnels. thumb|300px|La représentation schématique d'un amplificateur opérationnel varie suivant les normes ANSI/IEEE et IEC 60617-13. Un amplificateur opérationnel (aussi dénommé ampli-op ou ampli op, AO, AOP, ALI ou AIL) est un amplificateur différentiel à grand gain : c'est un amplificateur électronique qui amplifie fortement une différence de potentiel électrique présente à ses entrées.
Complementary metal oxide semi-conductor
vignette|Vue en coupe d'un transistor MOS On appelle CMOS, ou Complementary Metal Oxide Semiconductor, une technologie de fabrication de composants électroniques et, par extension, les composants fabriqués selon cette technologie. Ce sont pour la plupart des circuits logiques (NAND, NOR) comme ceux de la famille Transistor-Transistor logic (TTL) mais, à la différence de ces derniers, ils peuvent être aussi utilisés comme résistance variable.
Afficher plus
MOOCs associés (2)
Advanced statistical physics
We explore statistical physics in both classical and open quantum systems. Additionally, we will cover probabilistic data analysis that is extremely useful in many applications.
Advanced statistical physics
We explore statistical physics in both classical and open quantum systems. Additionally, we will cover probabilistic data analysis that is extremely useful in many applications.