En physique du solide et physique de la matière condensée, la densité d'états électroniques, en anglais Density of States ou DOS, quantifie le nombre d'états électroniques susceptibles d’être occupés, et possédant une énergie donnée dans le matériau considéré. Elle est généralement notée par l'une des lettres g, ρ, D, n ou N. Plus précisément, on définit la densité d'états par le fait que est le nombre d'états électroniques disponibles, avec une énergie comprise entre et , par unité de volume du solide ou par maille élémentaire du cristal étudié. Le concept de densité d’états existe pour les bosons (photons, phonons, etc) aussi bien que les fermions. Cette quantité peut être calculée dès lors que la relation de dispersion est connue.
La densité d'états est égale à l'intégrale de la fonction spectrale sur la première zone de Brillouin, et s’écrit dans le cas d'un système de dimension trois :
Cette quantité est d'une grande utilité en physique expérimentale puisque directement mesurable, contrairement à la fonction d'onde. La Théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT pour Density Functional Theory en anglais) permet d'obtenir une bonne approximation de la densité d'états pour de nombreux matériaux, en particulier ceux dans lesquels les électrons ne sont pas fortement corrélés.
Les particules d'un système quantique peuvent occuper des états dont la longueur d'onde et la direction de propagation dépendent dudit système. En général, seuls certains états spécifiques sont permis : la structure cristalline d'un matériau impose des conditions sur les directions de propagation autorisées tandis que dans certains systèmes la distance interatomique ou la charge atomique peuvent dicter les longueurs d'onde admissibles. Il peut donc arriver qu'il y ait un grand nombre d'états disponibles à une certaine énergie tandis qu'aucun ne le soit à une autre énergie.
Dans un semi-conducteur, la densité d'états électroniques présente une discontinuité qui marque la séparation entre la bande de valence et la bande de conduction.
Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.
This course aims to give a solid introduction to semiconductors, from Silicon to compound semiconductors, making the connection between the physics and their application in real life. We will explore
The lectures will provide an introduction to magnetism in materials, covering fundamentals of spin and orbital degrees of freedom, interactions between moments and some typical ordering patterns. Sele
En physique du solide, le modèle de l'électron libre est un modèle qui sert à étudier le comportement des électrons de valence dans la structure cristalline d'un solide métallique. Ce modèle, principalement développé par Arnold Sommerfeld, associe le modèle de Drude aux statistiques de Fermi-Dirac (mécanique quantique). Électron Particule dans réseau à une dimension 2.4 Modèle de sommerfeld ou de l'électron libre dans un puits de potentiel, sur le site garmanage.com Catégorie:Physique du solide Catégorie:É
A two-dimensional electron gas (2DEG) is a scientific model in solid-state physics. It is an electron gas that is free to move in two dimensions, but tightly confined in the third. This tight confinement leads to quantized energy levels for motion in the third direction, which can then be ignored for most problems. Thus the electrons appear to be a 2D sheet embedded in a 3D world. The analogous construct of holes is called a two-dimensional hole gas (2DHG), and such systems have many useful and interesting properties.
In solid-state physics, the electron mobility characterises how quickly an electron can move through a metal or semiconductor when pulled by an electric field. There is an analogous quantity for holes, called hole mobility. The term carrier mobility refers in general to both electron and hole mobility. Electron and hole mobility are special cases of electrical mobility of charged particles in a fluid under an applied electric field. When an electric field E is applied across a piece of material, the electrons respond by moving with an average velocity called the drift velocity, .
Explore les fréquences des phonons, la capacité thermique, les propriétés thermiques, les vibrations dans les solides, le gaz d'électrons libres, la fonction Fermi et la théorie fonctionnelle de la densité.
Explore l'analyse du spectre de l'énergie moléculaire, les mécanismes de conduction dans les points quantiques et le spectre de transmission dans les systèmes moléculaires.
Explore la structure des bandes dans diverses dimensions, les effets de confinement quantique, la densité des états et les quantités de Fermi dans les objets 3D.
Modern condensed matter physics relies on the concept of topology to classify matter, from quantum Hall systems to topological insulators. Engineered systems, benefiting from synthetic dimensions, can potentially give access to topological states predicted ...
Amer Assoc Advancement Science2024
,
To characterize in detail the charge density wave (CDW) transition of 1T-VSe2, its electronic structure and lattice dynamics are comprehensively studied by means of x-ray diffraction, muon spectroscopy, angle resolved photoemission (ARPES), diffuse and ine ...
Amer Physical Soc2024
This paper extends a 1D dynamic physics-based model of the scrape-off layer (SOL) plasma, DIV1D, to include the core SOL and possibly a second target. The extended model is benchmarked on 1D mapped SOLPS-ITER simulations to find input settings for DIV1D th ...