Strain et hétéroépitaxie

Cette séance de cours explore l'impact de la contrainte sur la structure de bande des semi-conducteurs, en se concentrant sur l'épitaxie et l'hétéroépitaxie. Il couvre l'accumulation d'énergie de déformation due à l'inadéquation du réseau, l'épaisseur critique pour éviter les défauts et la dérivation de la déformation hors plan en utilisant la loi de Hooke. Des exemples sont fournis pour les cristaux cubiques, mettant en évidence le déplacement des niveaux d'énergie près de l'écart de bande sous différents types de souche. La discussion s'étend aux puits quantiques, aux défauts étendus comme les luxations et aux configurations expérimentales pour explorer la souche. La théorie de l'élasticité est introduite pour comprendre la relation entre la contrainte, les déformations et les constantes élastiques dans les cristaux cubiques.