Dissipation de chaleur dans les transistors à effet de champ

Cette séance de cours aborde le défi de la dissipation de la chaleur dans la miniaturisation et l'intégration, en se concentrant sur les transistors à effet de champ. L'instructeur explique l'impact des effets de canal court sur les performances du transistor, les limites du graphène en raison de son manque d'écart de bande, et le potentiel des dichalcogénures de métal de transition comme MOS2 en tant que matériaux semi-conducteurs. La discussion couvre les propriétés uniques de MOS2, son application dans les appareils électroniques, le développement de transistors et de circuits à base de MOS2, et l'intégration de MOS2 avec du graphène pour la mémoire flash. La séance de cours se termine par un aperçu du potentiel futur de ces matériaux dans l'électronique flexible et la nécessité de réduire les coûts de synthèse pour une adoption généralisée.