Niveau de Fermi et concentration de porteurs dans les semi-conducteurs

Cette séance de cours couvre la détermination de la concentration d'électrons dans les semi-conducteurs à température ambiante en fonction du niveau de Fermi, en explorant les valeurs pour divers matériaux tels que InSb, InAs, Ge, Si, GaAs et GaN. Il discute également de la position du niveau de Fermi dans Si:P en fonction de la température et du niveau de Fermi dans le silicium pour différents niveaux de dopage. En outre, il approfondit le concept de dopants camphotériques en GaAs et la formation de bandes d'impuretés dans les semi-conducteurs. La séance de cours se termine par une analyse de la concentration des porteurs et du type de conductivité dans les couches d'InGaN dopées au silicium. Des références sont faites au livre de Grundmann tout au long de la présentation.