Explore les appareils et matériaux électroniques 2D, y compris le graphène, les dichalcogénides métalliques de transition, les excitons et la vallétronics.
Examine la dynamique de transmission et de spin ultrarapide dans les semi-conducteurs 2D et leurs hétérostructures, explorant des réponses optiques uniques et des applications nouvelles.
Explore les propriétés du graphène, la structure des bandes, l'électronique et les phénomènes à l'échelle nanométrique tels que l'effet Quantum Hall et l'effet Casimir.
Explore la résistance au contact dans les dispositifs semi-conducteurs, la résistance quantique, la conductance quantifiée, les défis d'injection de spin et les stratégies de réduction de la résistance au contact.
Explore les techniques de spectroscopie d'énergie comme XPS et UPS, la spectroscopie Auger, la sensibilité de surface et la structure de bande de graphène.
Explore l'ingénierie du magnétisme intrinsèque π-électron dans les nanostructures de carbone, en mettant l'accent sur l'induction du magnétisme dans le graphène et les nanographènes à travers le déséquilibre sublattice et la frustration topologique.
Explore la transition de l'état spintronique à l'état majorana dans les matériaux proximités, en mettant l'accent sur la proximité magnétique et la détection topologique de la supraconductivité.
Explore la localisation des électrons dans des matériaux 2D empilés incommensurablement, y compris le graphène bicouche tordu et les dichalcogénides métalliques de transition.
