Résistance au contact dans les dispositifs semi-conducteurs

Cette séance de cours porte sur le concept de résistance au contact dans les dispositifs semi-conducteurs, en examinant ses implications pratiques, les techniques de mesure telles que les méthodes à 4 sondes et TLM, et l'impact de la géométrie de contact sur l'échelle de résistance. Il explore également la résistance quantique dans les conducteurs balistiques, la conductance quantifiée dans des matériaux comme le GaAs, le graphène et le MoS2, et les défis de l'injection de spin en raison de l'inadéquation de la conductivité. De plus, il examine l'alignement de la bande dans les hétérostructures, la polarisation de la vallée par injection de spin, et les stratégies pour réduire la résistance au contact par l'ingénierie de phase, le dopage et le transfert de contact.