Cette séance de cours couvre les mécanismes de collecte des charges dans les caméras CCD, en se concentrant sur le rôle des photogates et la génération de charges. L'instructeur commence par expliquer le transistor NMOS et l'interface à semi-conducteur à oxyde métallique, en soulignant comment une forte tension positive sur la grille crée un canal pour le flux d'électrons. La discussion passe ensuite à la génération de charges dans le canal, en mettant l'accent sur la génération thermique comme un processus lent. L'instructeur illustre les effets de l'application de la tension sur la grille, démontrant comment le puits de potentiel se remplit de charges. Le concept de pleine capacité de puits est introduit, expliquant l'accumulation de charge maximale sous métallisation. La séance de cours aborde également l'application pratique de la collecte de la charge dans les caméras, détaillant comment chaque pixel collecte la lumière et transfère les frais de mesure. L'importance de minimiser le bruit de génération thermique est discutée, ainsi que l'impact des méthodes d'éclairage sur l'efficacité quantique, en particulier en comparant l'éclairage arrière et l'éclairage frontal.