Couvre l'analyse des jonctions N+/N dans les composants semi-conducteurs, en se concentrant sur les courants de diffusion et de dérive et leur équilibre.
Couvre l'influence du dopage sur les concentrations de porteurs dans les semi-conducteurs extrinsèques et les changements qui en résultent dans le niveau d'énergie de Fermi.
Couvre les modes de fonctionnement d'une jonction MOS sur un substrat de type n, en se concentrant sur les effets de potentiel de surface et de flexion de bande.
Couvre l'histoire et la physique des cellules solaires, en mettant l'accent sur leurs mesures d'efficacité et leur fonctionnement dans différentes conditions.
Couvre le comportement des semi-conducteurs, en se concentrant sur les niveaux d'énergie, les distributions de charges et la conductivité dans les structures N-P-N et les interfaces métal-semiconducteur.
Discute des jonctions métal-semi-conducteur, de leur contexte historique, de l'équilibre thermodynamique et des principes régissant leur fonctionnement dans la technologie des semi-conducteurs.
