Tension de rupture dans les transistors NPN: analyse et exemples

Cette séance de cours traite de la tension de claquage dans les transistors bipolaires NPN, en se concentrant sur l'effet d'avalanche dans les configurations de base commune et d'émetteur commun. L'instructeur commence par introduire le concept de tension de claquage, en supposant un gain de transistor de 255 et un facteur de multiplication de 4. L'analyse commence par le mode de base commun, où le courant collecteur est examiné en fonction de la tension collecteur-base tout en gardant le courant émetteur constant. La lecture passe alors au mode émetteur commun, où le courant collecteur est à nouveau analysé, mais cette fois en fonction de la tension collecteur-émetteur avec un courant de base fixe. L'instructeur explique les conditions dans lesquelles le courant collecteur diverge, en mettant l'accent sur la relation entre la tension de claquage et les caractéristiques de la diode. La séance de cours se termine par un résumé des résultats, mettant en évidence les différences de comportement en tension de claquage entre les deux configurations, notant spécifiquement que la tension de claquage pour la configuration de l'émetteur commun est de 10 volts, soit 1,5 fois la tension de claquage de la diode.