Semi-conducteurs intrinsèques: génération thermique et concentration de porteurs
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Couvre la description quantique de l'interaction électron-photon, de l'absorption, des taux de recombinaison et de la photoluminescence dans les semi-conducteurs.
Explore l'impact de la contrainte sur les structures de bande de semi-conducteurs, l'épitaxie, l'épaisseur critique et la formation de défauts, en mettant l'accent sur le rôle de la loi de Hooke et de la théorie de l'élasticité.
Explore la bande interdite dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur l'interaction entre les atomes dans un cristal et la dérivation de l'équation séculaire.
Explore le transport, la génération et la recombinaison dans les semi-conducteurs, couvrant les conductivités de dérive et de diffusion, les mécanismes de piégeage, divers canaux de recombinaison, et le rôle des pièges et des centres de recombinaison.
Explore le cadre théorique derrière l'absorption optique interbande dans les semi-conducteurs à bande interdite directe, y compris la dérivation des taux de transition et des coefficients d'absorption.
Explore la formation de polarons, d'excitons, d'effets de dopage chimique et le comportement des porteurs de charge dans les semi-conducteurs organiques.
Explore la conversion de l'énergie solaire à l'électricité à travers les cellules photovoltaïques, couvrant l'efficacité, les technologies et les facteurs affectant les performances.
