Séance de cours
Cette séance de cours couvre les bases des dispositifs à transfert de charge (CCD), en se concentrant sur leur développement historique et leurs spécifications techniques. Il commence avec l'invention du CCD en 1969 par W. Boyle et G. E. Smith, en soulignant son utilisation initiale en tant que dispositif linéaire de 8 pixels et les progrès ultérieurs qui ont conduit à la capture d'images. La séance de cours traite de l'évolution de la technologie CCD, présentant des détecteurs de grande taille développés en 1996 et 2006, qui ont atteint des résolutions de mégapixels. L'instructeur explique la structure et la fonction des condensateurs métal-oxyde-semiconducteur (MOS), détaillant leurs composants et le rôle du contrôle de la tension dans le comportement des semi-conducteurs. Des concepts clés tels que le potentiel de surface, la tension de bande plate et l'épuisement profond sont introduits, ainsi que les équations régissant ces phénomènes. La séance de cours se termine par une représentation graphique de la relation entre le potentiel de surface et la tension appliquée, illustrant la transition des bandes plates vers une forte inversion dans les dispositifs MOS, ce qui est crucial pour comprendre le fonctionnement du CCD.