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Revisite la modélisation du transistor MOS pour la conception de circuits analogiques basse tension et basse puissance, en se concentrant sur le modèle à base de charge EKV.
Explore le modèle basé sur la charge EKV pour la conception de circuits basse tension et basse puissance, en mettant l'accent sur les caractéristiques des transistors et les modèles de bruit.
Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
Explore les opérations MOSFET, la modélisation et les compromis dans la conception de circuits intégrés analogiques, en mettant l'accent sur la polarisation, le mode de fonctionnement et les paramètres de petit signal.
Couvre les fondamentaux des circuits intégrés CMOS analogiques, en mettant l'accent sur les principes de conception au niveau des transistors et l'impact historique de la technologie CMOS.
Explique le fonctionnement du transistor MOS dans les régions de triode et de saturation, en mettant l'accent sur la transconductivité et la disposition.
Explore le concept de coefficient d'inversion dans la conception de circuits intégrés analogiques de faible puissance, en mettant l'accent sur les compromis pour une consommation d'énergie minimale.
Couvre les origines et les calculs du bruit thermique et de tir dans les diodes et les transistors, en mettant l'accent sur leurs implications dans les composants électroniques.
