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Cette séance de cours couvre les fondamentaux de la microélectronique, en mettant l'accent sur la jonction PN et le transistor bipolaire de jonction (BJT). Il explique la formation de régions d'appauvrissement isolantes dans le silicium, les modes de fonctionnement de BJT, et la physique des dispositifs de base des transistors MOS. La séance de cours se penche également sur la tension de seuil des transistors MOS, les connexions de substrat et la dérivation des caractéristiques de courant-tension dans différentes régions transistors.