Couvre les processus de génération et de recombinaison dans les semi-conducteurs hors d'équilibre, détaillant leurs implications sur le comportement des semi-conducteurs.
Couvre les modes de fonctionnement d'une jonction MOS sur un substrat de type n, en se concentrant sur les effets de potentiel de surface et de flexion de bande.
Résume les concepts clés dans Solid State Physics II, y compris les structures de bandes, les surfaces de Fermi, l'approximation de fixation serrée et les isolants par rapport aux métaux.
Explore la structure de la bande de semi-conducteurs, les statistiques sur les porteurs et l'impact des impuretés sur l'activation et la conductivité des porteurs.
Couvre les équations de continuité en physique des semi-conducteurs, en se concentrant sur la conservation de la charge et le comportement des porteurs de charge dans des conditions de non-équilibre.
Explore les détecteurs de semi-conducteurs pour la détection des radiations, couvrant les principes, les applications, le dopage, les jonctions p-n et les mécanismes de détection.
Explore les diagrammes de bande, les coefficients d'absorption, les effets de désordre et la mobilité de dérive dans les matériaux électroniques comme c-Si et a-Si.
Couvre le comportement des semi-conducteurs, y compris les propriétés intrinsèques et extrinsèques, le dopage, les porteurs de charge, le flexion de la bande et la formation de jonction p-n.
