Explore la localisation des électrons dans des matériaux 2D empilés incommensurablement, y compris le graphène bicouche tordu et les dichalcogénides métalliques de transition.
Explore le comportement des électrons dans un gaz d'électron et l'arrangement périodique des atomes dans les solides cristallins, ainsi que la densité des états dans diverses dimensions et bandes d'énergie.
Explore les appareils et matériaux électroniques 2D, y compris le graphène, les dichalcogénides métalliques de transition, les excitons et la vallétronics.
Explore la structure des bandes de phonons, la densité des états et les modes dans les réseaux cristallins, y compris l'équation de Schrodinger et la dispersion des phonons.
Présente les matériaux 2D, les FET, l'optoélectronique, les concepts post-CMOS et l'impact historique de la loi de Moore sur les dispositifs semi-conducteurs.
Explore l'impact de la contrainte sur les structures de bande de semi-conducteurs, l'épitaxie, l'épaisseur critique et la formation de défauts, en mettant l'accent sur le rôle de la loi de Hooke et de la théorie de l'élasticité.
