Gravure humide : Réactions chimiques et optimisation des procédés

Cette séance de cours couvre la gravure isotrope du Si à l'aide d'acide fluorhydrique, d'acide nitrique et de bain d'acide acétique, ainsi que les réactions chimiques impliquées dans le processus de gravure du Si. Il traite de la génération de SiO2, de la dissolution de l'oxyde par HF, et de l'utilisation de l'acide acétique comme agent de dilution. La séance de cours explore également le diagramme ternaire pour le bain HNA, les courbes iso-etch, le tracé d'Arrhenius de la vitesse de gravure, les matériaux de masque pour la gravure et le processus de gravure électrochimique. Il explique la gravure de Si dopé p et dopé n avec polarisation électrique, ainsi que la gravure de Si dopé n avec polarisation électrique et lumière. La séance de cours se termine par un résumé de la chimie de la gravure humide isotrope et de la réalisation du Si poreux.