Explique le fonctionnement du transistor MOS dans les régions de triode et de saturation, en mettant l'accent sur la transconductivité et la disposition.
Explore le retard de l'onduleur, le dimensionnement, les capacités parasites et l'impact de l'appareil sur l'optimisation du retard dans les circuits numériques.
Revisite la modélisation du transistor MOS pour la conception de circuits analogiques basse tension et basse puissance, en se concentrant sur le modèle à base de charge EKV.
