Physique des semi-conducteurs: statistiques d'occupation et remplissage de bande

Cette séance de cours explore les concepts de statistiques d'occupation et de remplissage de bande dans les semi-conducteurs, couvrant les cas intrinsèques et dopés, y compris les scénarios dégénérés et non dégénérés. Il explore la condition de neutralité, en suivant l'évolution de la concentration en porteurs libres avec la température. L'impact d'un champ électrique modéré sur les propriétés de transport gratuit est également discuté, en mettant l'accent sur la distribution Maxwell-Boltzmann et le concept de mobilité à partir du modèle Drude.