Nanocrystals dans des dispositifs de mémoire : stockage non-volatile

Cette séance de cours traite de l'intégration des nanocristaux de silicium dans les dispositifs de mémoire non volatile, en se concentrant spécifiquement sur la fabrication de composants MOS. Il commence par un aperçu d'une session de formation pratique tenue dans une salle blanche, où les participants apprennent le concept de «Nano-Inside» appliqué à la technologie NMOS. L'instructeur explique les opérations impliquées dans la fabrication de circuits intégrés pour les applications de mémoire et leurs caractérisations de matériaux et de composants. La séance de cours souligne comment les nanocristaux de silicium servent de dispositifs de piégeage de charge, permettant un stockage d'informations durable sans avoir besoin d'une alimentation continue. La structure d'une mémoire à grille flottante est examinée, détaillant comment les électrons piégés dans les nanocristaux affectent la formation du canal N. La discussion couvre également la structure MNOS, illustrant le processus d'écriture et d'effacement des données par l'application de tensions positives et négatives, respectivement. Dans l'ensemble, la séance de cours fournit une compréhension complète de la façon dont les nanocristaux peuvent améliorer la technologie de la mémoire.