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Explore les défis de dissipation thermique dans les transistors à effet de champ et le potentiel du MOS2 et du graphène pour les appareils électroniques.
Présente les matériaux 2D, les FET, l'optoélectronique, les concepts post-CMOS et l'impact historique de la loi de Moore sur les dispositifs semi-conducteurs.
Explore l'évolution du matériel parallèle, de la loi de Moore aux défis des années 2000, et le passage à des systèmes d'extension dans les centres de données.
Explore l'utilisation de nanofils semi-conducteurs comme biocapteurs pour la détection sans étiquette des analytes chargés, en mettant l'accent sur la haute sensibilité et la nécessité de poursuivre les recherches.
Revisite la modélisation du transistor MOS pour la conception de circuits analogiques basse tension et basse puissance, en se concentrant sur le modèle à base de charge EKV.