Séance de cours

Cartographie des champs dans les dispositifs semi-conducteurs

Description

Cette séance de cours couvre la cartographie sur le terrain de spécimens de semi-conducteurs utilisant l'holographie électronique hors axe et des techniques basées sur la diffraction. Il explore les défis que posent la mesure des potentiels et des champs dans les dispositifs à semi-conducteurs modernes, l'importance d'une bonne préparation des échantillons et le développement de techniques telles que la STEM différentielle de phase contraste et la STEM 4D pour les mesures électromagnétiques du champ. L'instructeur discute des bases de l'holographie électronique hors-axe, du contrôle des dopants dans les dispositifs semi-conducteurs et de la cartographie des souches dans les matériaux semi-conducteurs. Diverses méthodes de mesure des potentiels et des champs par microscopie électronique de transmission sont comparées et analysées.

À propos de ce résultat
Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.