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Cette séance de cours couvre la cartographie sur le terrain de spécimens de semi-conducteurs utilisant l'holographie électronique hors axe et des techniques basées sur la diffraction. Il explore les défis que posent la mesure des potentiels et des champs dans les dispositifs à semi-conducteurs modernes, l'importance d'une bonne préparation des échantillons et le développement de techniques telles que la STEM différentielle de phase contraste et la STEM 4D pour les mesures électromagnétiques du champ. L'instructeur discute des bases de l'holographie électronique hors-axe, du contrôle des dopants dans les dispositifs semi-conducteurs et de la cartographie des souches dans les matériaux semi-conducteurs. Diverses méthodes de mesure des potentiels et des champs par microscopie électronique de transmission sont comparées et analysées.