Cette séance de cours couvre le fonctionnement des structures NMOS, en se concentrant sur le comportement des MOSFET dans divers régimes. Il commence par la structure de base d'un transistor NMOS, expliquant les rôles de la source, de la grille et du drain. L'instructeur discute de la formation du canal sous la couche d'oxyde et de la signification de la tension de seuil. La séance de cours se penche ensuite sur le fonctionnement du sous-seuil, le comparant aux transistors à jonction bipolaire (BJT) et mettant en évidence la dynamique de la bande de conduction. La discussion progresse vers les régimes linéaire et ohmique, illustrant comment la tension de grille influence la résistance et la conductivité du canal. L'instructeur explique le concept de pincement et de saturation des canaux, détaillant comment ces phénomènes affectent le flux de courant. La séance de cours se termine par un résumé du comportement NMOS par rapport à la tension de drain, mettant l'accent sur la transition des régions linéaires à la saturation et les implications pour le contrôle du courant. Dans l'ensemble, la séance de cours fournit une vue d'ensemble complète du fonctionnement NMOS, essentiel pour comprendre les dispositifs à semi-conducteurs.