Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
Explore la rétroaction négative dans les circuits analogiques, en se concentrant sur le gain désensibilisant, la réduction de la distorsion, le contrôle du bruit et l'extension de la bande passante.
Couvre l'analyse des transistors MOSFET avec grille et drain court-circuités, en se concentrant sur leurs caractéristiques opérationnelles et techniques de mesure.
Revisite la modélisation du transistor MOS pour la conception de circuits analogiques basse tension et basse puissance, en se concentrant sur le modèle à base de charge EKV.
Couvre les principes de conception et les paramètres clés des amplificateurs NMOS, en se concentrant sur la transconductance et l'optimisation du gain.
Couvre l'évolution des circuits intégrés numériques, l'impact des demandes du marché, les fonctionnalités modernes des circuits intégrés, l'histoire des microprocesseurs et la loi de Moore.
