Séance de cours
Cette séance de cours se concentre sur l'analyse des transistors MOSFET, en particulier lorsque la grille et le drain sont court-circuités. L'instructeur commence par corriger les exercices liés à cette configuration, en expliquant les implications pour un transistor NMOS. La source est mise à la masse, et la relation entre la tension de grille (VG) et la tension de drain (VD) est établie, conduisant à la conclusion que VD est égal à VG. La discussion comprend le calcul de la tension de saturation (VDSAT) et sa dépendance à la tension de seuil (VT). L'instructeur souligne que le transistor fonctionne en mode saturation, ce qui entraîne une courbe de sortie quadratique lorsque VD dépasse VT. Des techniques de mesure pratiques sont décrites, y compris l'application d'une source de tension variable à la fois à la grille et au drain, ce qui permet l'observation des caractéristiques de sortie. La séance de cours se termine par une représentation graphique de la relation courant-tension, soulignant la capacité de déterminer la tension de seuil à partir des données observées.