Présente les matériaux 2D, les FET, l'optoélectronique, les concepts post-CMOS et l'impact historique de la loi de Moore sur les dispositifs semi-conducteurs.
Explore l'ingénierie nanophotonique pour les dispositifs énergétiques, couvrant le transfert de chaleur, la conversion d'énergie, les régimes de transport et les polaritons de surface.
Couvre les traitements d'approximation de l'équation de Boltzmann pour les photons, les phonons et les électrons, en explorant la diffusion et les approches balistiques-diffuses.
Explore la densité des états dans les dispositifs semi-conducteurs, couvrant le gaz électronique, les bandes d'énergie, la distribution de Fermi-Dirac et les structures de bandes.
Explore les corrélations de convection externe forcée et la procédure pour résoudre les problèmes de convection, y compris la comparaison de la vitesse et des couches limites thermiques.
Couvre les processus de génération et de recombinaison dans les semi-conducteurs hors d'équilibre, détaillant leurs implications sur le comportement des semi-conducteurs.
Explore les détecteurs de semi-conducteurs pour la détection des radiations, couvrant les principes, les applications, le dopage, les jonctions p-n et les mécanismes de détection.
