Séance de cours
Cette séance de cours fournit une description qualitative du comportement des transistors MOSFET, en se concentrant sur leur structure et leurs principes opérationnels. Il commence par un aperçu de la structure métal-oxyde-semiconducteur, détaillant les matériaux utilisés, tels que le silicium et divers métaux. L'instructeur explique la formation du canal sous la grille et l'importance de la couche d'oxyde dans ce processus. La séance de cours couvre la structure NMOS, y compris les rôles de la source, du drain et du substrat, et explique comment les tensions appliquées à la grille influencent la formation du canal. Le concept de tension de seuil est introduit, expliquant comment il affecte le fonctionnement du transistor. L'instructeur aborde également l'influence de la tension de la source sur le seuil et la charge du canal, en mettant l'accent sur la relation entre ces paramètres. Tout au long de la séance de cours, des aides visuelles sont utilisées pour illustrer les dimensions géométriques et les caractéristiques électriques du MOSFET, fournissant une compréhension complète de sa fonctionnalité dans les dispositifs à semi-conducteurs.