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Publications associées (10)

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InGaN alloys and heterostructures : impact of localization effects on light-matter interaction in planar microcavities

Marlene Glauser

The III-nitride semiconductor material system - (InAlGa)N - is of highest interest for optoelectronic applications due to its direct bandgap, tunable from the ultraviolet to the infrared spectral range. The most well-known are white light-emitting diodes, ...

EPFL2014

Optical absorption edge broadening in thick InGaN layers: Random alloy atomic disorder and growth mode induced fluctuations

Nicolas Grandjean, Jean-François Carlin, Raphaël Butté, Georg Rossbach, Marlene Glauser, Gordon Jens Callsen, Lise Lahourcade

AIP American Institute of Physics2018

InGaN/GaN quantum wells for polariton laser diodes: Role of inhomogeneous broadening

Nicolas Grandjean, Jean-François Carlin, Raphaël Butté, Eric Feltin, Georg Rossbach, Marlene Glauser, Christian Mounir

Contrary to the case of III-nitride based visible light-emitting diodes for which the inhomogeneous linewidth broadening characteristic of InGaN-based multiple quantum well (MQW) heterostructures does not appear as a detrimental parameter, such a broadenin ...

Amer Inst Physics2014