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Lise Lahourcade

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Publications associées (5)

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Impact of surface morphology on the properties of light emission in InGaN epilayers

Nicolas Grandjean, Jean-François Carlin, Raphaël Butté, Lise Lahourcade

2018

Enhancement of Auger recombination induced by carrier localization in InGaN/GaN quantum wells

Nicolas Grandjean, Benoît Marie Joseph Deveaud, Raphaël Butté, Gwénolé Jean Jacopin, Wei Liu, Georg Rossbach, Lise Lahourcade, Mehran Shahmohammadi

The origin of efficiency droop in state-of-the-art quality In GaN/GaN and GaN/AlGaN quantum wells (QWs) grown on various crystal planes is studied by means of time-resolved photoluminescence spectroscopy associated with a precise determination of the QW ca ...

Amer Physical Soc2017

Optical absorption edge broadening in thick InGaN layers: Random alloy atomic disorder and growth mode induced fluctuations

Nicolas Grandjean, Jean-François Carlin, Raphaël Butté, Georg Rossbach, Marlene Glauser, Gordon Jens Callsen, Lise Lahourcade

AIP American Institute of Physics2018