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Publications associées (21)

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Room-Temperature Negative Differential Resistance in Graphene Field Effect Transistors: Experiments and Theory

Mihai Adrian Ionescu, Arnaud Magrez, Antonios Bazigos, Laurent Syavoch Bernard, Pankaj Sharma

In this paper we demonstrate experimentally and discuss the negative differential resistance (NDR) in dual-gated graphene field effect transistors (GFETs) at room temperature for various channel lengths, ranging from 200 nm to 5 mu m. The GFETs were fabric ...

Amer Chemical Soc2015

Compact modeling of DG-Tunnel FET for Verilog-A implementation

Mihai Adrian Ionescu, Antonios Bazigos, Luca De Michielis, Arnab Biswas

In this work, a compact model based on an analytical closed form solution of the 1D Poisson's equation for a double-gate Tunnel FET is derived. Furthermore, the current levels are estimated by implementing an algorithm based on the Kane's band-to-band tunn ...

IEEE2015

Graphene Negative Differential Resistance Circuit With Voltage-Tunable High Performance at Room Temperature

Mihai Adrian Ionescu, Arnaud Magrez, Antonios Bazigos, Laurent Syavoch Bernard, Pankaj Sharma

We propose, fabricate, and experimentally demonstrate a circuit based on graphene field-effect transistors (GFETs) showing enhanced negative differential resistance (NDR) characteristics at room temperature. The proposed graphene NDR (GNDR) circuit consist ...

Institute of Electrical and Electronics Engineers2015