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Publications associées (9)

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Graphene Quantum Capacitors for High Frequency Tunable Analog Applications

Juan Ramon Mosig, Mihai Adrian Ionescu, Clara-Fausta Moldovan, Michele Tamagnone, Pankaj Sharma, Wolfgang Amadeus Vitale

Graphene quantum capacitors (GQC) are demonstrated to be enablers of radio-frequency (RF) functions through voltage-tuning of their capacitance. We show that GQC complements MEMS and MOSFETs in terms of performance for high frequency analog applications an ...

American Chemical Society (ACS)2016

Room-Temperature Negative Differential Resistance in Graphene Field Effect Transistors: Experiments and Theory

Mihai Adrian Ionescu, Arnaud Magrez, Antonios Bazigos, Laurent Syavoch Bernard, Pankaj Sharma

In this paper we demonstrate experimentally and discuss the negative differential resistance (NDR) in dual-gated graphene field effect transistors (GFETs) at room temperature for various channel lengths, ranging from 200 nm to 5 mu m. The GFETs were fabric ...

Amer Chemical Soc2015

Fabrication process and characterization of suspended graphene membranes for RF NEMS capacitive switches

Mihai Adrian Ionescu, Clara-Fausta Moldovan, Wolfgang Amadeus Vitale, Laurent Syavoch Bernard, Pankaj Sharma

The fabrication of a Nanoelectromechanical System (NEMS) capacitive switch consisting of a suspended multilayer graphene membrane, doubly clamped on a coplanar waveguide (CPW) is presented and its RF performance is evaluated. The scattering parameters are ...

Elsevier2015