Passer au contenu principal

Recherche

Afficher tous les résultats pour

Accueil

Personne

Sonia Conesa Boj

Cette personne n’est plus à l’EPFL

À propos
Confidentialité
Mentions légales

Copyright © 2025 EPFL, tous droits réservés

Graph Chatbot

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Publications associées (29)

Veuillez noter qu'il ne s'agit pas d'une liste complète des publications de cette personne. Elle inclut uniquement les travaux sémantiquement pertinents. Pour une liste complète, veuillez consulter Infoscience.

Towards higher electron mobility in modulation doped GaAs/AlGaAs core shell nanowires

Anna Fontcuberta i Morral, Gözde Tütüncüoglu, Sonia Conesa Boj

Precise control over the electrical conductivity of semiconductor nanowires is a crucial prerequisite for implementation of these nanostructures into novel electronic and optoelectronic devices. Advances in our understanding of doping mechanisms in nanowir ...

Royal Society of Chemistry2017

Synthesis, Morphological, and Electro-optical Characterizations of Metal/Semiconductor Nanowire Heterostructures

Anna Fontcuberta i Morral, Sonia Conesa Boj, Heidi Andrea Potts

In this letter, we demonstrate the formation of unique Ga/GaAs/Si nanowire heterostructures, which were successfully implemented in nanoscale light-emitting devices with visible room temperature electroluminescence. Based on our recent approach for the int ...

American Chemical Society2016

Modulation Doping of GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires With Effective Defect Passivation and High Electron Mobility

Anna Fontcuberta i Morral, Federico Matteini, Fauzia Jabeen, Alberto Casadei, Sonia Conesa Boj, Francesca Amaduzzi

Reliable doping is required to realize many devices based on semiconductor nanowires. Group IIIV nanowires show great promise as elements of high-speed optoelectronic devices, but for such applications it is important that the electron mobility is not comp ...

American Chemical Society2015