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Publications associées (2)

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Co-design of ReRAM Passive Crossbar Arrays Integrated in 180nm CMOS Technology

Giovanni De Micheli, Davide Sacchetto, Yusuf Leblebici, Michele De Marchi, Pierre-Emmanuel Julien Marc Gaillardon, Jury Sandrini, Tugba Demirci, Maxime Victor Thammasack, Marios Barlas

This work presents the co-integration of resistive random access memory crossbars within a 180nm Read-Write CMOS chip. TaOx-based ReRAMs have been fabricated and characterized with materials and process steps compatible with the CMOS Back-End-of ...

Institute of Electrical and Electronics Engineers2016

Effect of Hf Metal Layer on the Switching Characteristic of HfOX-based Resistive Random Access Memory

Elmira Shahrabi, Yusuf Leblebici, Jury Sandrini, Behnoush Attarimashalkoubeh, Marios Barlas

In this study, we propose the insertion of an ultrathin Hf layer at the interface between TiN (top electrode) and HfOX (electrolyte), and then studied its effect on the device electrical properties. In order to obtain the desired switching characteristics, ...

Ieee2016