Passer au contenu principal

Recherche

Afficher tous les résultats pour

Accueil

Personne

Jury Sandrini

Cette personne n’est plus à l’EPFL

À propos
Confidentialité
Mentions légales

Copyright © 2025 EPFL, tous droits réservés

Graph Chatbot

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Publications associées (12)

Veuillez noter qu'il ne s'agit pas d'une liste complète des publications de cette personne. Elle inclut uniquement les travaux sémantiquement pertinents. Pour une liste complète, veuillez consulter Infoscience.

Control of Resistive Switching in Mott Memories Based on TiN/AM4Q8/TiN MIM Devices

Giovanni De Micheli, Davide Sacchetto, Jury Sandrini, Pierre-Emmanuel Julien Marc Gaillardon

The family of AM4Q8 chalcogenide Mott insulators gained attention in recent years for its application opportunities. Here, we explore and validate the resistive switching mechanism of thin-film of GaV4S8 sandwich ...

Electrochemical Society2017

Analog Control of Retainable Resistance Multistates in HfO2 Resistive-Switching Random Access Memories (ReRAMs)

Elmira Shahrabi, Yusuf Leblebici, Jury Sandrini, Carlo Ricciardi, Cecilia Giovinazzo, Oguz Tolga Celik

Resistive-switching random access memory (ReRAM) technologies are nowadays a good candidate to overcome the bottleneck of Von Neumann architectures, taking advantage of their logic-in-memory capability and the ability to mimic biological synapse behavior. ...

AMER CHEMICAL SOC2019

The key impact of incorporated Al2O3 barrier layer on W-based ReRAM switching performance

Elmira Shahrabi, Yusuf Leblebici, Jury Sandrini, Cecilia Giovinazzo

In this article, we inspected the bipolar resistive switching behavior of W-based ReRAMs, using HfO2 as switching layer. We have shown that the switching properties can be significantly enhanced by incorporating an Al2O3 layer as a barrier layer. It stabil ...

IEEE2018