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Pirouz Sohi
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Publications associées (7)
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Beyond 8 THz Displacement-field Nano-switches for 5G and 6G Communications
Mihai Adrian Ionescu, Elison de Nazareth Matioli, Pirouz Sohi, Riyaz Mohammed Abdul Khadar
The rapid progress in high capacity communication systems is reaching extremely high data rates of 100 Gb s−1, which demands electronic switches with cut-off frequencies well above 1 THz. The excellent electron transport properties of III-V heterojunctions ...
IEEE2022P-GaN Tri-Gate MOS Structure for Normally-Off GaN Power Transistors
Elison de Nazareth Matioli, Pirouz Sohi, Jun Ma, Luca Nela, Catherine Erine, Minghua Zhu
In this letter, we present a new concept for normally-off AlGaN/GaN-on-Si MOS-HEMTs based on the combination of p-GaN, tri-gate and MOS structures to achieve high threshold voltage (V-TH) and low on-resistance (R-ON). The p-GaN is used to engineer the band ...
2021p-NiO Junction Termination Extensions for High Voltage Vertical GaN Devices
Elison de Nazareth Matioli, Remco Franciscus Peter van Erp, Alessandro Floriduz, Pirouz Sohi, Luca Nela, Riyaz Mohammed Abdul Khadar, Catherine Erine, Taifang Wang
In this paper, we illustrate the use of RF-sputtered p-NiO to fabricate Junction Termination Extensions (JTEs) for high-performance vertical GaN-on-Si Schottky Barrier Diodes (SBDs). The GaN epitaxial structures were grown on 6-inch Si wafers by MOCVD. The ...
IEEE2021