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Guillaume Charles Henri Herment

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Publications associées (2)

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Sweat Biomarker Sensor Incorporating Picowatt, Three-Dimensional Extended Metal Gate Ion Sensitive Field Effect Transistors

Mihai Adrian Ionescu, Junrui Zhang, Erick Antonio Garcia Cordero, Maneesha Rupakula, Hoël Maxime Guérin, Francesco Bellando, Fabien Patrick Wildhaber, Guillaume Charles Henri Herment

Ion sensitive field effect transistors (ISFETs) form a very attractive solution for wearable sensors due to their capacity for ultra-miniaturization, low power operation, and very high sensitivity, supported by complementary metal oxide semiconductor (CMOS ...

2019

All CMOS Integrated 3D-Extended Metal Gate ISFETs for pH and Multi-Ion (Na+, K+, Ca2+) sensing

Mihai Adrian Ionescu, Maneesha Rupakula, Junrui Zhang, Hoël Maxime Guérin, Erick Antonio Garcia Cordero, Johan Frédéric Longo, Francesco Bellando, Fabien Patrick Wildhaber, Guillaume Charles Henri Herment

This paper reports for the first time, smart 3D-Extended-Metal-Gate Ion-Sensitive-Field-Effect-Transistors (3D-EMG-ISFETs), with unique figures of merit: (i) extremely-low-power (down to a record value of 2 pW per sensor under excellent linearity), (ii) al ...

IEEE2018