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Maneesha Rupakula

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Publications associées (6)

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Unités associées (1)

EPFL
VPA-AVP-CP
CMI
CMI-GE

InAs-on-Insulator Fin Nanostructures for Integrated Computation and Sensing Functions

Maneesha Rupakula

Field-effect transistors (FETs) have established themselves as a leading platform for electrical detection of chemical and biological species. Their advantages over other optical, mechanical sensing platforms are attributed to being miniaturizable, mechani ...

EPFL2020

Monolithically integrated catalyst-free High Aspect Ratio InAs-On-Insulator (InAsOI) FinFETs for pH sensing

Mihai Adrian Ionescu, Kirsten Emilie Moselund, Junrui Zhang, Maneesha Rupakula, Francesco Bellando, Fabien Patrick Wildhaber, Clarissa Convertino

In this work, we report a novel Indium Arsenide-on-insulator (InAsOI) FinFET platform designed with record high aspect ratio that favor the use of the devices as charge sensors. InAs has very high mobility among III-V semiconductors and an intrinsic surfac ...

IEEE2019

Monolithically Integrated Catalyst-Free High Aspect Ratio InAs-on-Insulator (InAsOI) FinFETs for pH Sensing

Mihai Adrian Ionescu, Junrui Zhang, Maneesha Rupakula, Francesco Bellando, Fabien Patrick Wildhaber, Clarissa Convertino

In this work, we report a novel Indium Arsenide-on-insulator (InAsOI) FinFET platform designed with record high aspect ratio that favors the use of the devices as charge sensors. InAs has very high mobility among III-V semiconductors and an intrinsic surfa ...

2020